벌크형 나노구조 트랜지스터 및 이의 제조방법Bulk nanostructure transistor with suppressed leakage current path
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 설명록 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:25:35Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:25:35Z | - |
| dc.date.issued | 2013-07-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234011 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 벌크형 나노구조 트랜지스터는 벌크형 기판; 상기 벌크형 기판 상에, 상기 벌크형 기판으로부터 이격된 나노구조의 채널을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 벌크형 기판과 상기 소스 사이에 위치한 제1매몰 절연층 및 상기 벌크형 기판과 상기 드레인 사이에 위치한 제2매몰 절연층; 및 상기 벌크형 기판 상으로써 상기 소스와 상기 드레인 사이에 위치한 게이트를 포함한다. | - |
| dc.title | 벌크형 나노구조 트랜지스터 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Bulk nanostructure transistor with suppressed leakage current path | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 설명록 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0088191 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1289666-0000 | - |
| dc.date.application | 2012-08-13 | - |
| dc.date.registration | 2013-07-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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