불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터THIN FILM TRANSISTOR AND AQUEOUS SOLUTION COMPOSITION OF FLUORINE DOPED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 배병수 | ko |
| dc.contributor.author | 전준혁 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:24:10Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:24:10Z | - |
| dc.date.issued | 2013-06-13 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233961 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 불소를 함유하는 금속 화합물 및 불소를 함유하는 유기물로 이루어진 군으로부터 하나 또는 둘 이상 선택된 불소 화합물 전구체; 및 물 또는 촉매를 포함하는수용액; 을 포함하는 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물, 이를 이용한 불소 금속 산화물 반도체 제조 방법 및 이를 포함하는 불소 금속 산화물 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 금속 산화물 반도체 제조 방법은 상기 박막 트랜지스터용 불소 금속 산화물 반도체 제조용 수용액 조성물을 준비하는 단계, 기판 위에 상기 수용액 조성물을 코팅하는 단계, 그리고 상기 기판에 코팅된 수용액 조성물을 열처리하여 불소 금속 산화물 반도체를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터는 종래의 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 비해 저온 소성 온도에서도 우수한 전기적 물성을 보여준다. | - |
| dc.title | 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | THIN FILM TRANSISTOR AND AQUEOUS SOLUTION COMPOSITION OF FLUORINE DOPED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 배병수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 전준혁 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0076685 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1276707-0000 | - |
| dc.date.application | 2011-08-01 | - |
| dc.date.registration | 2013-06-13 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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