나노채널 구조체를 구비하는 센서 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 나노채널 구조체를 구비하는 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 패턴화된 고분자 구조체의 외주면에 물리적 이온 식각공정을 통한 이온 봄바드먼트(ion bombardment) 현상을 적용하여 목적물질을 부착시킨 목적물질-고분자 복합구조체를 형성시킨 다음, 상기 목적물질-고분자 복합구조체의 고분자를 제거하여 나노채널 구조체를 제조하고, 상기 제조된 나노채널 구조체를 적용함으로써 센서의 감응성을 향상시킨 나노채널 구조체를 구비하는 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 센서용 채널을 제조함으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 다양한 선폭과 형태를 가지는 동시에 최대 10nm 수준의 선폭을 가지는 극미세 나노채널 구조체를 제조할 수 있어 뛰어난 감응성을 요하는 센서에 유용하게 사용할 수 있다.