다차원 격자－ＲＳ 연접 부호의 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치를 위한 오류 정정 회로, 및 플래쉬 메모리 장치Multi-stage decoding circuit and method for concatenated codes with Inner TCM and Outer multi-stage RS Concatenated code, error correct circuit using the same for flash memory, and flash memory device using the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 문재균 | ko |
| dc.contributor.author | 하정석 | ko |
| dc.contributor.author | 오지은 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:08:53Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:08:53Z | - |
| dc.date.issued | 2013-02-12 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233489 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 다차원 격자-RS 연접 부호의 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치를 위한 오류 정정 회로, 및 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 플래쉬 메모리 장치의 오류 정정 회로는 플래쉬 메모리 코어로부터 제공되는 저장 데이터 중 일부를 인가받아 다차원 복조, 비터비 복호, 및 RS 복호를 순차적으로 수행하여 부분격자 선택 데이터를 출력하는 제1 스테이지 복호부; 및 상기 제1 스테이지 복호부의 부분격자 선택 데이터 및 상기 플래쉬 메모리 코어로부터 제공되는 저장 데이터의 나머지를 인가받아 다차원 복조, 및 RS 복호를 순차적으로 수행하여 신호점 선택 데이터를 출력하는 제2차 스테이지 복호부를 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 다차원 격자－ＲＳ 연접 부호의 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치를 위한 오류 정정 회로, 및 플래쉬 메모리 장치 | - |
| dc.title.alternative | Multi-stage decoding circuit and method for concatenated codes with Inner TCM and Outer multi-stage RS Concatenated code, error correct circuit using the same for flash memory, and flash memory device using the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 문재균 | - |
| dc.contributor.localauthor | 하정석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 오지은 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0040285 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1234373-0000 | - |
| dc.date.application | 2011-04-28 | - |
| dc.date.registration | 2013-02-12 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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