내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫

Abstract

본 발명의 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫은, N-액티브 레이어(N-active layer)와, 폴리 게이트 레이어(poly gate layer)와, n+ 레이어(n+ layer)를 포함하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫으로서, 트랜지스터 게이트의 산화막 두께가 10nm 이하게 되면 정공 트래핑(hole trapping)이 발생하지 않는 현상을 이용하여 누설 전류 경로를 차단하는 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer); 및 문턱 전압을 높여 트래핑(trapping)된 정공(hole)에 의해 발생하는 채널 반전(channel inversion)을 억제시켜 누설전류 발생을 차단하는 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)를 포함하며, 상기 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer)와 상기 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)에 의해 상기 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain)을 둘러싸 방사선에 의한 누설 전류 경로를 차단한다. 본 발명에 의하면, 본 발명의 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫(Dummy Gate Assisted n-MOSFET: DGA n-MOSFET)의 레이아웃(layout)은 방사선에 의해 발생 할 수 있는 누설 전류 경로를 차단하여 방사선 환경에서도 정상적으로 동작함으로써, 우주 공간, 타 행성 탐사, 원자력 발전소의 원자로와 같은 방사선 환경에서도 정상적으로 동작하는 전자부품 설계에 활용 할 수 있는 효과가 있다.