전자후방산란회절 기법을 이용한 재결정율 측정 방법Method for measuring recrystallization rate by electron backscatter diffraction

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본 발명은 전자후방산란회절(electron backscatter diffraction, EBSD) 기법을 활용한 금속재료의 풀림 열처리 시 미세조직의 재결정율 정량화에 관한 것이다. 본 발명에 따른 재결정율 측정 방법은 (a) 재결정 여부의 판단 기준인 결정립내방위퍼짐(intragranular orientation spread)의 임계값을 구하는 단계와, (b)전자후방산란회절(electron backscatter diffraction, EBSD) 맵에서 결정립으로 인식되는 최소유효결정립 크기(effective minimun diameter, EMD)를 구하는 단계와, (c) 상기 전자후방산란회절 맵에서 최소유효결정립 크기 이상인 결정립들의 결정립내방위퍼짐 값을 구하는 단계와, (d) 측정된 결정립들의 결정립내방위퍼짐 값과 결정립내방위퍼짐의 임계값을 비교하여 결정립들의 재결정화 여부를 판단하여, 재결정화율을 측정하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 재결정율 측정 방법은, 체계적인 접근을 통해서 재결정율을 측정하므로, 항상 신뢰할 수 있는 일정한 측정결과를 얻을 수 있다는 장점이 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2015-02-10
Application Date
2013-11-06
Application Number
10-2013-0133910
Registration Date
2015-02-10
Registration Number
10-1493944-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/233391
Appears in Collection
ME-Patent(특허)
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