반도체 소자의 채널 모델링 장치 및 방법Method and Apparatus for Modelling Channel of Semiconductor Device
본 발명의 실시예는 반도체 소자의 채널 모델링 장치 및 방법에 관한 것이다. 더 상세하게는 DGA(Dummy Gate Assisted) MOSFET(Mmetal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) 등의 반도체소자에서 설계 형태에 따라 채널 영역의 형태가 다양해지는 경우 그 전기적 특성을 빠르게 모델링 함으로써 반도체 설계시의 효율성을 증대하고자 하는 반도체 소자의 채널 모델링 장치 및 방법에 관한 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2015-02-12
- Application Date
- 2013-08-14
- Application Number
- 10-2013-0096865
- Registration Date
- 2015-02-12
- Registration Number
- 10-1494808-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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