헬리칼 구조 전류 프로브, 이를 포함하는 반도체 칩 및 전류 산출 방법HELICAL-TRACE CURRENT PROBE, SEMICONDUCTOR CHIP INCLUDING THE SAME AND METHOD OF CALCULATING THE CURRENT

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전류 프로브는 제1 헬리칼 구조 도선 및 제2 헬리칼 구조 도선을 포함한다. 제1 헬리칼 구조 도선은 입력 전류를 전달 받는다. 제2 헬리칼 구조 도선은 제1 헬리칼 구조 도선과 대칭적으로 배치되어 제1 헬리칼 구조 도선 상의 입력 전류에 의해 유도되는 제1 자기장과 반대 방향으로 제2 자기장을 형성하여 제1 자기장을 상쇄시킨다. 제1 자기장에 의하여 제2 헬리칼 구조 도선에 유도되는 유도 전압 노드의 전압에 기초하여 입력 전류를 측정한다. 제안된 전류 프로브를 사용하면 일반적으로 사용되는 커런트 프로브에서와 같이 기생 저항이나 기생 인덕턴스가 발생하지 않으므로 3차원 집적 회로에서의 전류 측정의 정확도를 높일 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2014-12-26
Application Date
2013-05-29
Application Number
10-2013-0060735
Registration Date
2014-12-26
Registration Number
10-1478625-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/232863
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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