ＲＦ 스위치 회로

Abstract

본 발명은 RF 스위치 및 스위치 컨트롤러가 하나의 CMOS 기판에 형성되어 딥 N형 웰 기판과 N형 웰 기판 및 P형 웰 기판에 플로팅 저항을 연결시켜 입력 전력에 관하여 선형성이 증가된 RF 스위치 회로에 관한 것으로, RF 신호의 전달 경로를 변경하는 적어도 하나의 N MOS(Metal Oxide Semiconductor) 스위치를 구비하는 RF 스위치는 제1 딥 N형 웰(well) 기판에 형성된 N형 단자가 플로팅(floating) 저항을 통해 구동 전원을 전달받고, 제1 P형 기판에 형성된 P형 단자는 플로팅 저항을 통해 바디 전원을 전달받으며, 제1 P형 기판에 형성된 둘의 N형 단자는 플로팅 저항을 통해 게이트 전원을 전달받고, 상기 RF 스위치의 경로 변경을 제어하는 적어도 하나의 N MOS 스위치 및 P MOS 스위치를 구비하는 스위치 컨트롤러는 제2 딥 N형 웰(well) 기판에 형성된 N형 단자와 상기 제1 N형 기판에 형성된 N형 단자가 플로팅(floating) 저항을 통해 구동 전원을 전달받는다.