반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조 방법Method of Forming on Predetermined Area of Substrate with Grown Carbon Nanotube, and Method of Forming Semiconductor Metal Wire and Inductor by Using The Same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이병철 | ko |
| dc.contributor.author | 이정언 | ko |
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 윤준보 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T10:36:19Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T10:36:19Z | - |
| dc.date.issued | 2006-12-22 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/232700 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 성장된 탄소나노튜브를 홈에 채워 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체 소자를 제조하는 방법은, 기판 위에 몰드를 패터닝하는 단계; 패터닝에 의해 형성된 홈 및 몰드 전면에 탄소나노튜브를 도포하는 단계; 몰드 전면에 도포된 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는 단계; 및 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법인 것을 특징으로 이루어진다. 탄소나노튜브, CNT, 반도체 소자 제조방법 | - |
| dc.title | 반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Method of Forming on Predetermined Area of Substrate with Grown Carbon Nanotube, and Method of Forming Semiconductor Metal Wire and Inductor by Using The Same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.localauthor | 윤준보 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이병철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이정언 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2005-0080632 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0663076-0000 | - |
| dc.date.application | 2005-08-31 | - |
| dc.date.registration | 2006-12-22 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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