고 Ｓｉ 규소강판의 제조방법

Abstract

본 발명은 고 Si 규소강판을 냉간압연에 의하여 박판으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 중량 퍼센트로 5∼6.5의 고 Si 규소강을 슬라브 강판으로 제조하는 단계; 상기 강판을 1100℃ 이상으로 재가열하여 조직을 균질화하는 단계; 및 상기 균질화된 강판을 800∼1200℃의 온도범위에서 열간압연하되 최종 패스의 압연온도를 800∼900℃로 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 Si 규소강판의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면 고주파 영역에서의 자기특성이 우수하지만 냉간압연이 불가능한 고 Si 규소강판을 연속적으로 박판으로 가공하는 것이 가능한 이점이 있다.