DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 노광수 | ko |
dc.contributor.author | 김상국 | ko |
dc.contributor.author | 신성철 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T10:28:17Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T10:28:17Z | - |
dc.date.issued | 2004-09-23 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/232520 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 강자성박막에서의 전압에 의한 자화용이축(magnetization easy axis) 제어방법 및 이를 이용한 비휘발성 자기메모리와 그 정보기록(writing) 방법에 관한 것으로서, 전극층, 압전층 및 자성층을 배치하고, 전극층에 전압을 인가하여 전기장이 확보되면, 압전층에 격자확장(혹은 격자압축)이 야기된 후, 자성층에 인장응력 혹은 압축응력이 가해짐으로써 자성층의 자발자화방향을 좌우하는 자화용이축이 박막면에서 수직축으로 또는 그 역으로 스위칭되는 것을 특징으로 하는 전압 인가 방식의 강자성막의 자발자화방향 제어방법 및 이를 이용한 자기메모리와 그 정보기록방법을 제공하며, 본 발명을 이용하면 자기장(magnetic field)을 인가하지 않고 정보를 기록(writing)할 수 있어, 초고집적도 비휘발성 메모리소자를 형성할 때 메모리 셀의 크기가 작아지고 셀 간의 간격이 작아져 발생하는 정보 유실과 정보기록시의 신뢰도 손실을 억제하는 효과가 있다.스핀 스위칭, 자발자화방향, 자화용이축, 압전층, 자성층, MRAM, 비휘발성, 전압인가방식 | - |
dc.title | 전압을 이용한 강자성박막의 자화용이축 제어방법 및 이를이용한 비휘발성, 초고집적, 초절전형 자기메모리와정보기록방법 | - |
dc.title.alternative | VOLTAGE CONTROL OF MAGNETIZATION EASY AXIS INFERROMAGNETIC FILMS, ULTRAHIGH-DENSITY, LOW POWER,NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY AND WRITING METHOD THEREOF | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 노광수 | - |
dc.contributor.localauthor | 신성철 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김상국 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,대한민국(서울대학교 총장) | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2002-0046734 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0451660-0000 | - |
dc.date.application | 2002-08-08 | - |
dc.date.registration | 2004-09-23 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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