나노미터 크기의 갭을 가지는 금속 전극의 형성 방법METHOD FOR FORMING METAL ELECTRODES SEPARATED BY ANANOMETER-SCALE GAP
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 윤준보 | ko |
| dc.contributor.author | 장성일 | ko |
| dc.contributor.author | 이현진 | ko |
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T10:27:06Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T10:27:06Z | - |
| dc.date.issued | 2006-09-15 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/232484 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 나노미터 크기의 갭을 가지는 금속 전극 및 그 형성 방법에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 효율적이고 간단한 방법으로 나노미터 크기의 갭을 가지는 금속 전극을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속 나노갭 형성 방법은, (a) 기판 위에 절연막을 형성하는 단계; (b) 상기 절연막 위에 마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여, 상기 절연막을 등방 식각하여 마스크 패턴의 폭보다 좁은 폭을 가지는 절연막 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 절연막 패턴 위에 제1 금속을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 마스크 패턴을 제거하여 제1 금속 나노갭을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 금속 나노갭, 마스크 패턴, 폴리머 사이드월 패턴, 등방성 식각, 이방성 식각 | - |
| dc.title | 나노미터 크기의 갭을 가지는 금속 전극의 형성 방법 | - |
| dc.title.alternative | METHOD FOR FORMING METAL ELECTRODES SEPARATED BY ANANOMETER-SCALE GAP | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 윤준보 | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 장성일 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이현진 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2004-0044125 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0627023-0000 | - |
| dc.date.application | 2004-06-15 | - |
| dc.date.registration | 2006-09-15 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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