미세구리배선의 제조 방법 및 이를 이용한 트랜지스터제조방법Micro copper wire manufacturing method and manufacturing method using the same transistor
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양민양 | ko |
| dc.contributor.author | 박정환 | ko |
| dc.contributor.author | 손석우 | ko |
| dc.contributor.author | 이후승 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T10:25:10Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T10:25:10Z | - |
| dc.date.issued | 2015-09-15 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/232410 | - |
| dc.description.abstract | 기판상부에 구리 나노입자를 포함하는 코팅층을 형성하는 단계, 레이저를 코팅층에 조사하는 단계, 잔류 코팅층을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 구리 나노입자는, 90이상의 구리를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 레이저를 코팅층에 조사하는 단계는, 레이저 스캐닝 속도가 1 ~ 3000mm/s의 속도로 스캐닝하는 것을 특징으로 하는 구리 배선의 제조 방법. | - |
| dc.title | 미세구리배선의 제조 방법 및 이를 이용한 트랜지스터제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Micro copper wire manufacturing method and manufacturing method using the same transistor | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 양민양 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박정환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 손석우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이후승 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0156330 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1554563-0000 | - |
| dc.date.application | 2013-12-16 | - |
| dc.date.registration | 2015-09-15 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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