DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 정희태 | ko |
dc.contributor.author | 전환진 | ko |
dc.contributor.author | 정현수 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T09:15:01Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T09:15:01Z | - |
dc.date.issued | 2014-01-21 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/232279 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 터치패널용 전극의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화된 고분자 구조체외주면에 물리적 이온 식각공정을 통한 이차 스퍼터링 방식을 이용하여 전도성 물질을 부착시킨 전도성 물질-고분자 복합구조체를 형성시킨 다음, 상기 형성된 전도성 물질-고분자 복합구조체에서 고분자만을 제거하여 미세 전극패턴을 대면적으로 형성시킬 수 있는 터치패널용 전극의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 전극을 형성시킴으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 높은 투명도와 균일성을 가지는 전극을 제조할 수 있고, 고분자 구조체의 패턴 및 형상을 조절함으로써 다양한 형상으로 패턴화된 전극을 형성시킬 수 있는 동시에 대면적으로 선폭이 10nm 이하인 전극 미세 패턴을 형성할 수 있어 좌표 간의 오차를 줄일 수 있으며, 터치입력에 대한 감도를 향상시킬 수 있다. | - |
dc.title | 터치패널용 전극의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Electrode Preparing Method for a Touch Panel | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 정희태 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 전환진 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0013407 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1356074-0000 | - |
dc.date.application | 2012-02-09 | - |
dc.date.registration | 2014-01-21 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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