알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자의 합성방법 및 이를 이용한 고분자 발광소자

Abstract

본 발명은 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자(ZnO NP; Nano Particle)의 합성방법 및 이를 이용한 고분자 발광소자에 관한 것으로, ZnO NP의 극성 용매에 대한 분산 안정성과 광전소자의 전자 주입 및 수송 능력을 향상시킬 수 있는 고분자 발광소자를 합성하는데 있다. 보다 상세하게는 전자 이동도 특성을 가지는 ZnO NP의 표면을 감싸기 위해 공액 고분자 전해질의 구조에 알콕시(alkoxy) 곁사슬을 도입한 후, 계면활성제가 없는 ZnO NP을 합성하는 단계와, 전자 주입 장벽을 낮춰주는 공액 고분자 전해질(Conjugated Polyelectrolytes)을 이용하여 그 표면을 개질하는 단계와, 이를 이용한 고분자 발광소자(Polymer Light-Emitting Diode;PLED)를 제조하는 단계로 구성된다. 본 발명의 ZnO NP는 분산 안정성과 전자 주입 및 수송 능력을 향상시키는 광전 소자를 제공할 수 있다.