수직 실리콘 나노선을 이용한 하부전극 및 그 형성방법Bottom electrode formation of vertical nanowires using stack mesh structure during metal-assisted chemical etching

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본 발명은 수직 실리콘 나노선의 하부전극 및 그 형성방법을 제시한다. 촉매 식각 방법에서 사용되는 촉매 금속이 나노선 하부에 잔존하는 특성을 이용하여 별도의 후속 하부 전극 공정 없이 촉매 식각 과정의 일부로서 공정을 단순화 할 수 있으며, 실리사이드 형성금속 박막을 사용하므로 실리사이드와 실리콘의 접촉 저항 역시 크게 개선할 수 있다.이 방법은 실리콘 기판 상부에 메쉬 형태를 가지는 촉매금속 박막과 실리사이드 형성금속 박막이 적층된 패턴구조가 형성되는 단계; 금속 촉매 식각 공정에 의해 상기 실리콘 기판에서 수직 실리콘 나노선이 제작되는 단계; 및 상기 실리사이드 형성금속 박막이 열처리 공정에 의해 실리콘 반응을 일으켜 실리사이드를 형성시키는 단계를 포함한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2014-01-14
Application Date
2012-08-13
Application Number
10-2012-0088457
Registration Date
2014-01-14
Registration Number
10-1354006-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/231803
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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