측벽 스페이서 기술과 촉매 금속 식각 방법을 이용한 수직 나노튜브 구조 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 수직 나노튜브 구조Methods of manufacturing vertical silicon nano tubes using sidewall spacer technique and metal-assisted chemical etching process and vertical silicon nano tubes manufactured by the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이석희 | ko |
| dc.contributor.author | 정현호 | ko |
| dc.contributor.author | 최지훈 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T08:24:33Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T08:24:33Z | - |
| dc.date.issued | 2014-01-21 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231790 | - |
| dc.description.abstract | 기판에 원형의 홀을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 홀의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 기판 및 홀 상에 촉매 금속을 증착하는 단계; 상기 홀의 측벽에 형성된 스페이서를 제거하는 단계; 및 상기 촉매 금속이 증착된 기판을 식각액에 접촉시켜, 상기 스페이서가 형성된 영역을 제외한 기판 물질을 식각하여, 수직 나노튜브를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노튜브 제조방법이 제공된다. | - |
| dc.title | 측벽 스페이서 기술과 촉매 금속 식각 방법을 이용한 수직 나노튜브 구조 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 수직 나노튜브 구조 | - |
| dc.title.alternative | Methods of manufacturing vertical silicon nano tubes using sidewall spacer technique and metal-assisted chemical etching process and vertical silicon nano tubes manufactured by the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이석희 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정현호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최지훈 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0082380 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1355930-0000 | - |
| dc.date.application | 2012-07-27 | - |
| dc.date.registration | 2014-01-21 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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