박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박재우 | ko |
| dc.contributor.author | 전남호 | ko |
| dc.contributor.author | 유승협 | ko |
| dc.contributor.author | 이형섭 | ko |
| dc.contributor.author | 김철환 | ko |
| dc.contributor.author | 이규환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T07:27:43Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T07:27:43Z | - |
| dc.date.issued | 2015-07-09 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231411 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 화학 증착법으로 제작된 금속 산화물 활성층과, 상기 금속 산화물 활성층에 적어도 일부가 중첩된 게이트 전극과, 적어도 상기 금속 산화물 활성층과 게이트 전극 사이에 마련된 게이트 절연막 및 적어도 그 일부가 상기 금속 산화물 활성층에 접속된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와 이의 제조 방법에 관한 것이다. 이와 같이 금속 산화물 박막을 화학 증착법으로 제작하여 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있으며, 금속 산화물 박막 상에 오믹 접촉층을 형성하여 금속 산화물 박막의 막질 변화를 방지하고, 소스 및 드레인 전극과의 접촉 면저항을 줄일 수 있다. | - |
| dc.title | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 유승협 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박재우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 전남호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이형섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김철환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이규환 | - |
| dc.contributor.assignee | 주성엔지니어링(주),한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0029004 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1537007-0000 | - |
| dc.date.application | 2014-03-12 | - |
| dc.date.registration | 2015-07-09 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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