박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

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본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 화학 증착법으로 제작된 금속 산화물 활성층과, 상기 금속 산화물 활성층에 적어도 일부가 중첩된 게이트 전극과, 적어도 상기 금속 산화물 활성층과 게이트 전극 사이에 마련된 게이트 절연막 및 적어도 그 일부가 상기 금속 산화물 활성층에 접속된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와 이의 제조 방법에 관한 것이다. 이와 같이 금속 산화물 박막을 화학 증착법으로 제작하여 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있으며, 금속 산화물 박막 상에 오믹 접촉층을 형성하여 금속 산화물 박막의 막질 변화를 방지하고, 소스 및 드레인 전극과의 접촉 면저항을 줄일 수 있다.
Assignee
주성엔지니어링(주),한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2015-07-09
Application Date
2014-03-12
Application Number
10-2014-0029004
Registration Date
2015-07-09
Registration Number
10-1537007-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/231411
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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