박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법Thin film transister and production method thereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김영수 | ko |
| dc.contributor.author | 강민호 | ko |
| dc.contributor.author | 오재섭 | ko |
| dc.contributor.author | 박남수 | ko |
| dc.contributor.author | 이가원 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T07:27:42Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T07:27:42Z | - |
| dc.date.issued | 2012-06-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231410 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 박막 트랜지스터의 문턱 전압과 구동 전류 특성을 개선하여 성능을 향상시키는 것이 가능한 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 게이트 전극, 액티브 영역, 소스 전극, 및 드레인 전극으로 이루어지는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 액티브 영역은 반도체 물질인 금속 산화물, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 유기 화합물을 포함하는 액티브층; 및 상기 액티브층의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 액티브층과 쇼트키 접합 또는 오믹 접합이 이루어지는 금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 반도체 물질인 금속 산화물, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 유기 화합물로 액티브층을 구성한 박막 트랜지스터의 액티브층 상부 또는 하부에 금속층을 형성하여 기존의 낮은 전자 이동도와 구동 전류를 개선하고 험프 현상과 문턱 전압에서의 기울기(Subthresholding swing)를 억제할 수 있는 효과를 갖는다. | - |
| dc.title | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Thin film transister and production method thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 강민호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김영수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 오재섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박남수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이가원 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0078539 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1159539-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-08-13 | - |
| dc.date.registration | 2012-06-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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