산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터

Abstract

본 발명은 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 박막트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함하고, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것을 특징으로 한다. 이를 통해, 본 발명은 박막트랜지스터의 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 저비용으로 제조가 가능하고, 환경 문제가 적으며, 특정 유형의 전자 기기에 널리 적용될 수 있는 효과가 있다. 특히, 저온에서도 박막트랜지스터를 형성할 수 있어, 향후 기판의 소재 선택에 있어서 폭을 넓혔다. 박막 트랜지스터, 활성층, 산화티타늄, MISFET, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극.