플렉서블 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법Flexible vertical light emitting diode and manufacturing method for the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이건재 | ko |
| dc.contributor.author | 이승현 | ko |
| dc.contributor.author | 손정환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T07:19:22Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T07:19:22Z | - |
| dc.date.issued | 2014-02-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231307 | - |
| dc.description.abstract | 플렉서블 수직 발광다이오드로서, 플렉서블 기판 상에 형성되며, 서로 이격된 복수 개의 발광다이오드 단위 소자층; 상기 소자층 상부 및 소자층 측면에 노출된 금속전극층을 포함하며, 여기에서 상기 단위 소자층은 n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층을 포함하며, 상기 소자층 상부의 금속전극층은 상기 n-GaN층과 오믹컨택을 이루며, 상기 소자층 측면에 노출된 금속전극층은 상기 p-GaN층과 오믹컨택을 이루는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드가 제공된다. | - |
| dc.title | 플렉서블 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Flexible vertical light emitting diode and manufacturing method for the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이건재 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이승현 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 손정환 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0013961 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1362516-0000 | - |
| dc.date.application | 2013-02-07 | - |
| dc.date.registration | 2014-02-06 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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