DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 양경훈 | ko |
dc.contributor.author | 이기원 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T06:28:26Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T06:28:26Z | - |
dc.date.issued | 2014-04-30 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231074 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 단일 식각된 링 구조와 단일 확산 공정을 이용하여 제작하도록 한 평면형 애벌랜치 포토다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, InP 기판 전면에 InP 버퍼층, InGaAs 광 흡수층, InGaAsP 그래이딩층, InP 전계 조절층, 그리고 InP 층이 형성된 평면형 애벌랜치 포토다이오드에 있어서, InP 층이 InP 층 위에 형성되는 다수 개의 링 구조의 식각 마스크층을 통해 단일 습식 또는 건식 식각된 링 구조의 식각 영역을 다수 개 가지도록 함으로써, 간단한 제작 과정, 높은 재현성, 낮은 암 계수율을 가지면서도 높은 광자 검출 효율이 가능하다. | - |
dc.title | 평면형 애벌랜치 포토다이오드 및 그 제조방법 | - |
dc.title.alternative | PLANAR AVALANCHE PHOTODIODE AND PRODUCTING METHOD THEREOF | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 양경훈 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이기원 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0003654 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1393080-0000 | - |
dc.date.application | 2013-01-11 | - |
dc.date.registration | 2014-04-30 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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