평면형 애벌랜치 포토다이오드 및 그 제조방법PLANAR AVALANCHE PHOTODIODE AND PRODUCTING METHOD THEREOF

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본 발명은 단일 식각된 링 구조와 단일 확산 공정을 이용하여 제작하도록 한 평면형 애벌랜치 포토다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, InP 기판 전면에 InP 버퍼층, InGaAs 광 흡수층, InGaAsP 그래이딩층, InP 전계 조절층, 그리고 InP 층이 형성된 평면형 애벌랜치 포토다이오드에 있어서, InP 층이 InP 층 위에 형성되는 다수 개의 링 구조의 식각 마스크층을 통해 단일 습식 또는 건식 식각된 링 구조의 식각 영역을 다수 개 가지도록 함으로써, 간단한 제작 과정, 높은 재현성, 낮은 암 계수율을 가지면서도 높은 광자 검출 효율이 가능하다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2014-04-30
Application Date
2013-01-11
Application Number
10-2013-0003654
Registration Date
2014-04-30
Registration Number
10-1393080-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/231074
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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