광 검출기는 SOI(Silicon-On-Insulator) 기판; 상기 SOI 기판의 표면이 식각되어 형성되는 실리콘 도파로(waveguide); 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 생성되어, 접합 중앙에 형성된 공핍 영역을 포함하는 PN 접합; 및 상기 PN 접합과 연결되는 전극을 포함하고, 상기 PN 접합은 상기 전극에서 인가하는 역전압에 응답하여 상기 공핍 영역에서 발생되는 전기장에 의해, 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자를 흡수한다.