본 발명은 (a) 포토레지스트(photoresist)를 기판 위에 도포하는 단계; (b) 근접장 나노 패터닝(proximity-field nanopatterning) 방법을 통하여 상기 포토레지스트를 주기적인 3차원 다공성 나노구조 패턴의 기공이 형성되도록 하는 단계; (c) 제1 금속 전구체를 이용한 원자층 증착법에 의해 상기 주기적인 3차원 다공성 나노구조 패턴이 형성된 포토레지스트를 주형(template)으로 상기 3차원 다공성 기공내에 제1 금속 산화물을 도입시키는 단계; 및 (d) 상기 포토레지스트 주형을 제거함으로써, 상기 포토레지스트에 형성된 3차원 다공성 나노구조의 역상(inverse form) 형태의 3차원 나노구조화된 다공성의 제1 금속 산화물을 얻는 단계; e) 상기 3차원 나노구조화된 제1 금속산화물 내부 또는 표면상에 1차원 나노 구조의 제2 금속산화물을 형성하는 단계;를 포함하는 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 복합차원 나노구조의 금속산화물에 관한 것이다.