측벽 스페이서 기술 방법을 이용한 대면적 금속 나노 고리 구조 제조 방법 및 이를 이용한 전사 방법Methods of metal nano ring formation in large wafer-scale using sidewall spacer technique and method of transferring the metal nano ring formation using the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 유승협 | ko |
| dc.contributor.author | 정현호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T02:38:29Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T02:38:29Z | - |
| dc.date.issued | 2016-05-30 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/230798 | - |
| dc.description.abstract | 금속 나노 고리 제조방법으로, 기판에 구멍 구조를 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 구멍 구조의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 기판에 금속을 증착하여 금속 고리 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 고리 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 수십 나노미터 급의 두께를 가지는 금속 나노 고리 구조를 쉽게 대면적으로 제작할 수 있다. 따라서, 기존의 금속 나노 디스크 구조에 비하여 다양한 크기 조절 변수로 인해 조율을 통해 적외선 영역에서 플라즈몬 효과를 조절 가능하게 할 수 있으며, 또한 기존의 반도체 공정 기반의 측벽 스페이서 공정을 통해 별도의 나노 급 패터닝 공정 없이 웨이퍼 스케일의 대면적으로 금속 나노 고리 구조 제작이 가능하다. | - |
| dc.title | 측벽 스페이서 기술 방법을 이용한 대면적 금속 나노 고리 구조 제조 방법 및 이를 이용한 전사 방법 | - |
| dc.title.alternative | Methods of metal nano ring formation in large wafer-scale using sidewall spacer technique and method of transferring the metal nano ring formation using the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 유승협 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정현호 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0173315 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1627430-0000 | - |
| dc.date.application | 2014-12-04 | - |
| dc.date.registration | 2016-05-30 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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