DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 박정영 | ko |
dc.contributor.author | 이창환 | ko |
dc.contributor.author | 이영근 | ko |
dc.contributor.author | 이효선 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T02:38:11Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T02:38:11Z | - |
dc.date.issued | 2016-06-07 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/230786 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 상기 제1금속층의 일함수보다 작은 일함수를 갖는 제2금속층; 및 상기 제1금속층의 일함수 및 제2금속층의 일함수보다 작은 전자친화도를 갖는 무기층;을 포함하며, 상기 무기층을 사이에 두고, 상기 제1금속층과 상기 제2금속층이 적층되어, 상기 제1금속층의 핫 전자가 상기 무기층을 터널링하여 상기 제2금속층으로 이동하는 에너지 소자에 관한 것이다. | - |
dc.title | 터널링 금속금속산화물금속 핫전자 에너지 소자 | - |
dc.title.alternative | Hot Electron Energy Device using MetalInsulatorMetal structure | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 박정영 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이창환 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이영근 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이효선 | - |
dc.contributor.assignee | 기초과학연구원,한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0149215 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1629690-0000 | - |
dc.date.application | 2014-10-30 | - |
dc.date.registration | 2016-06-07 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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