중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자Micro Plasma Device with Hollow Cathode Structure
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최경철 | ko |
| dc.contributor.author | 문정훈 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T02:07:22Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T02:07:22Z | - |
| dc.date.issued | 2009-07-03 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/230245 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 중공 음극 소자(hollow cathode device)의 구조를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 발생하는 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 발생 소자는, 전면기판과 배면기판 중 적어도 어느 하나에 중공을 형성하고, 상기 전면기판에 포함된 제1 금속전극과 배면기판에 포함된 제2 금속전극 사이의 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하여 플라즈마를 효율적으로 발생할 수 있다. | - |
| dc.title | 중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자 | - |
| dc.title.alternative | Micro Plasma Device with Hollow Cathode Structure | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최경철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 문정훈 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0108110 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0907324-0000 | - |
| dc.date.application | 2007-10-26 | - |
| dc.date.registration | 2009-07-03 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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