개시제를 사용하는 화학기상증착(iCVD) 공정을 이용한 가스 분리막의 제조방법Method of Preparing Gas Separation Membrane Using iCVD Process
본 발명은 개시제를 사용하는 화학기상증착(iCVD) 공정을 이용하여 기판 위에 고분자를 증착 또는 코팅시키는 가스 분리막의 제조방법에 관한 것으로, 혼합된 가스로부터 목표 가스의 분리를 위한 투과율 및 선택도가 탁월한 효과가 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2016-12-01
- Application Date
- 2014-11-28
- Application Number
- 10-2014-0168702
- Registration Date
- 2016-12-01
- Registration Number
- 10-1683776-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
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