광유도 전하전달 물질을 이용한 나노 구조 광센서Nano-structured photodetector with photo-induced charge transfer elements
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 최성진 | ko |
| dc.contributor.author | 설명록 | ko |
| dc.contributor.author | 양지원 | ko |
| dc.contributor.author | 이영철 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:49:50Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T01:49:50Z | - |
| dc.date.issued | 2011-09-30 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/230042 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 반도체 나노 구조의 작은 부피에도 불구하고 높은 광전류 변화를 얻을 수 있는 기법에 관한 것으로써, 광유도 전하전달 물질을 나노 구조에 부착하여 빛에 대한 감도를 키울 수 있는 방법에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명은, 광유도 전하전달 물질을 부착한 반도체 나노 구조 광센서에 있어서, 기판; 및 상기 기판 위에 형성되는 소스, 드레인 및 나노 구조;를 포함하되, 상기 소스 및 드레인은 높은 전도도를 위해 금속이나 큰 도핑농도의 반도체를 사용하고, 상기 나노 구조는 작은 면적과 실용 가능한 정도의 에너지 밴드갭을 갖는 실리콘, 게르마늄, 탄소나노튜브, 그래핀 등의 반도체를 사용하며, 부착하는 물질은 빛을 받았을 때만 선택적으로 전자를 흡수하거나 방출하는 광유도 전하전달 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조 광센서를 제공한다. | - |
| dc.title | 광유도 전하전달 물질을 이용한 나노 구조 광센서 | - |
| dc.title.alternative | Nano-structured photodetector with photo-induced charge transfer elements | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.localauthor | 양지원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최성진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 설명록 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이영철 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0070060 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1071110-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-07-20 | - |
| dc.date.registration | 2011-09-30 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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