본 발명은 반도체층 위에 금속이 적층되고, 상기 금속 위에 p/n형 유기/무기 반도체층이 적층된 구조를 갖는 나노다이오드 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 본 발명의 나노다이오드는 금속이 그 금속 위에 적층된 p/n형 유기/무기 반도체층(제1광흡수층)의 후면 전극역할을 하면서 동시에 상기 제1광흡수층에서 흡수되지 못한 빛을 다시 흡수하는 제2광흡수층으로 이용된다. 이때 핫 전자의 생성과 검출 원리를 이용하기 위해 후면 전극 밑에 증착되어 있는 반도체층이 후면 전극인 금속과 반도체층 사이에 생성된 쇼트키 장벽을 통해 금속에서 생성되는 핫 전자를 효율적으로 수집하게 되고, 뿐만 아니라 최종적으로 반도체층은 직접적인 광흡수를 수행함으로써 나노다이오드의 광흡수 전환 효율을 극대화시킬 수 있다.