쌍극자를 가진 자기조립 단분자막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

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dc.contributor.author유승협ko
dc.contributor.author이승원ko
dc.date.accessioned2017-12-20T01:18:30Z-
dc.date.available2017-12-20T01:18:30Z-
dc.date.issued2014-01-21-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/229497-
dc.description.abstract본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로서, 부유 게이트와 터널링 유전막 사이에 쌍극자를 가지는 자기조립 단분자막을 삽입하여 부유 게이트의 일 함수를 조절해 줌으로써 데이터 리텐션 특성을 향상시킨 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 자기조립 단분자막의 쌍극자 모멘트에 의해 부유 게이트의 페르미 준위 및 일 함수가 조절됨으로써, 부유 게이트로부터 반도체막 쪽으로의 전자 이동에 대한 에너지 장벽이 증가하여 누설 전류가 감소하고, 그에 따라 데이터 리텐션 특성이 향상되는 효과가 있다.-
dc.title쌍극자를 가진 자기조립 단분자막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자-
dc.title.alternativeNONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING SELF-ASSEMBLED MONOLAYER-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor유승협-
dc.contributor.nonIdAuthor이승원-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2012-0118180-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1355813-0000-
dc.date.application2012-10-24-
dc.date.registration2014-01-21-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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