DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 유승협 | ko |
dc.contributor.author | 이승원 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:18:30Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T01:18:30Z | - |
dc.date.issued | 2014-01-21 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229497 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로서, 부유 게이트와 터널링 유전막 사이에 쌍극자를 가지는 자기조립 단분자막을 삽입하여 부유 게이트의 일 함수를 조절해 줌으로써 데이터 리텐션 특성을 향상시킨 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 자기조립 단분자막의 쌍극자 모멘트에 의해 부유 게이트의 페르미 준위 및 일 함수가 조절됨으로써, 부유 게이트로부터 반도체막 쪽으로의 전자 이동에 대한 에너지 장벽이 증가하여 누설 전류가 감소하고, 그에 따라 데이터 리텐션 특성이 향상되는 효과가 있다. | - |
dc.title | 쌍극자를 가진 자기조립 단분자막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 | - |
dc.title.alternative | NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING SELF-ASSEMBLED MONOLAYER | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 유승협 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이승원 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0118180 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1355813-0000 | - |
dc.date.application | 2012-10-24 | - |
dc.date.registration | 2014-01-21 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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