탈 양이온현상을 이용한 메조다공성 알루미노실리케이트의 제조방법

Abstract

본 발명은 탈 양이온현상(decationization)을 이용한 메조다공성 알루미노실리케이트를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고체 주형물질이나 유기실란을 사용하지 않고 기존 제올라이트의 구조를 이온교환 및 열처리를 통한 탈 양이온 현상을 통하여 단계적으로 붕괴시킴으로써 마이크로기공과 메조기공을 모두 지니는 메조다공성 알루미노실리케이트를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따라 제조된 메조다공성 알루미노실리케이트는 이온교환 및 열처리를 통하여 메조기공을 얻을 수 있기 때문에 합성 비용을 줄일 수 있어 경제적이며 대량 생산으로서의 발전 가능성을 기대할 수 있다. 또한, 마이크로 기공만을 지니고 있는 제올라이트의 느린 분자확산 속도 등의 고질적인 한계점을 해결할 수 있으며, 이온교환 정도를 조절함으로써 제올라이트 골격의 붕괴 정도와 이에 따른 메조 기공의 크기를 조절할 수 있고, 본 발명에 따른 메조다공성 알루미노실리케이트 물질은 큰 분자의 흡착제 및 촉매로 사용할 수 있는 물질로 응용 가능하다.