축전 결합 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치Capacitively Coupled Plasma Generation Apparatus and Substrate Processing Apparatus

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dc.contributor.author장홍영ko
dc.contributor.author서상훈ko
dc.contributor.author이윤성ko
dc.date.accessioned2017-12-20T01:14:06Z-
dc.date.available2017-12-20T01:14:06Z-
dc.date.issued2017-08-30-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/229344-
dc.description.abstract본 발명은 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 발생 장치는 일면의 중심에 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극, 일면의 복수의 위치에서 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받고 제1 전극의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서, 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원, 제2 전극에 전력을 공급하는 제2 RF 전원, 및 제1 RF 전원의 전력 및 제2 RF 전원의 전력을 조절하는 제어부를 포함한다.-
dc.title축전 결합 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치-
dc.title.alternativeCapacitively Coupled Plasma Generation Apparatus and Substrate Processing Apparatus-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor장홍영-
dc.contributor.nonIdAuthor서상훈-
dc.contributor.nonIdAuthor이윤성-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2013-0056156-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1774809-0000-
dc.date.application2013-05-20-
dc.date.registration2017-08-30-
dc.publisher.countryKO-
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