DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 전석우 | ko |
dc.contributor.author | 송성호 | ko |
dc.contributor.author | 김보현 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:13:05Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T01:13:05Z | - |
dc.date.issued | 2017-10-19 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229308 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 그라파이트와 알카리 금속염 수화물 또는 알카리토금속염의 수화물을 혼합하고 가열하여 금속 이온이 층간에 삽입된 그라파이트 층간 화합물을 제조하는 단계; 및 상기 그라파이트 층간 화합물로부터 삽입된 금속 이온을 제거하여 고품질의 그래핀 양자점을 제조하는 단계를 포함하는 그래핀 양자점의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 고품질의 그래핀 양자점에 관한 것으로 본 발명에 따른 고품질 양자점은 디스플레이, 기록소자 및 각종 센서 그리고 나노컴퓨터 등의 차세대 전자제품 개발 뿐 만 아니라 생물, 의약 등에 사용가능하다. | - |
dc.title | 고품질 그래핀 양자점 및 이의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | high quality graphene quantum dots and method for preparing the same | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 전석우 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 송성호 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김보현 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0127275 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1790275-0000 | - |
dc.date.application | 2013-10-24 | - |
dc.date.registration | 2017-10-19 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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