DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 안병태 | ko |
dc.contributor.author | 박규찬 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:03:59Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T01:03:59Z | - |
dc.date.issued | 2010-06-28 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229171 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 전도성 기판 상에 p+ 층, 단결정 실리콘층, 비정질 실리콘층 및 투명 전도성 산화층이 순서대로 적층된 적층형 태양전지에 있어서, 상기 단결정 실리콘층의 두께가 1 ~ 100 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 적층형 태양전지에 관한 것이다. 또한 본 발명은 전도성 기판 상에 단결정 실리콘층과 비정질 실리콘층이 형성된 적층형 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 단결정 실리콘 기판의 양면에 p+ 층을 형성하는 단계, 상기 단결정 실리콘 기판의 소정의 깊이에 수소 이온을 주입하여 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 p+ 층 상부면에 전도성 기판을 형성하는 단계, 상기 단결정 실리콘 기판을 수소 이온을 주입한 위치에서 절단하는 단계 및 상기 비정질 실리콘층 상부면에 투명 전도성 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는, 전도성 기판 상에 단결정 실리콘층과 비정질 실리콘층이 형성된 적층형 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다. | - |
dc.title | 적층형 태양전지 및 상기 태양전지의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Tandem Solar Cell And Manufacturing Method Therefor | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 안병태 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 박규찬 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0135620 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0967903-0000 | - |
dc.date.application | 2008-12-29 | - |
dc.date.registration | 2010-06-28 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.