비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 최성진 | ko |
| dc.contributor.author | 한진우 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T00:59:11Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T00:59:11Z | - |
| dc.date.issued | 2010-10-01 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229017 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는, 기판 양측의 소정 영역에 쇼트키 접합으로 형성되는, 소오스 및 드레인, 소오스 및 드레인 사이에 형성되는 채널영역, 채널 영역상에 형성되는 부유게이트를 포함한다. 본 발명에 따르면, 비휘발성 메모리 소자의 데이터 쓰기 동작을 낮은 전압, 짧은 시간에 가능하게 하고, 쇼트키 장벽 트랜지스터의 고유의 소자 축소에 강한 점을 이용하여, 고집적에 따른 단채널 효과(short channel effect)를 억제시켜 정확한 데이터 판독이 가능한 고집적 메모리 소자를 제공할 수 있다. | - |
| dc.title | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최성진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한진우 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0095719 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0986048-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-09-30 | - |
| dc.date.registration | 2010-10-01 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.