백 게이트를 이용한 선형 증폭기LINEAR AMPLIFIER USING BACK GATE

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본 발명은 백 게이트를 이용한 선형 증폭기에 관한 것으로서, 입력 전력을 인가받는 캐스코드 증폭기 입력부와, 캐스코드 증폭기 입력부와 접속되는 공통 게이트 증폭기와, 공통 게이트 증폭기와 직렬로 접속되어 R-C필터 기능을 수행하는 저항 및 다이오드, 및 캐스코드 증폭기 출력부를 포함하되, R-C필터에 의해 상기 캐스코드 증폭기 입력부가 인가받는 입력 전력이 증가됨으로써, 캐스코드 증폭기의 출력부의 출력 전력이 증가하여 공통 게이트 증폭기의 백 게이트 직류(DC)전압이 증가하고, 공통 소스 증폭기의 소스와 캐스코드 증폭기 출력부의 교류(AC)전압이 백 게이트에 커플링 되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 소스(source)와 백 게이트(back-gate)를 분리시켜 입/출력전력에 따라 백 게이트(back-gate)의 전압을 조절하여 문턱 전압 및 강한 비선형 영역의 변화시켜 증폭기의 비선형 구간을 감소시킴으로써, 증폭기의 전체적인 선형성을 향상시키는 효과가 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2010-07-27
Application Date
2008-07-04
Application Number
10-2008-0064687
Registration Date
2010-07-27
Registration Number
10-0973499-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228931
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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