수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치A PASSIVE MATRIX-ADDRESSABLE MEMORY APPARATUS
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이희철 | ko |
| dc.contributor.author | 김우영 | ko |
| dc.contributor.author | 황치호 | ko |
| dc.contributor.author | 이용수 | ko |
| dc.contributor.author | 김상율 | ko |
| dc.contributor.author | 가두연 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T00:55:13Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T00:55:13Z | - |
| dc.date.issued | 2009-08-14 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228925 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치는 하나 이상의 평행한 제1 전극라인, 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 평행한 제2 전극라인, 제1 및 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부 및 메모리부와 제1 전극라인 사이에 형성되어, 제1 전극라인과 전기적으로 연결된 켄틸레버 형태의 제1 전극 및 메모리부와 전기적으로 연결되고 제1 전극과 대향 이격되도록 형성된 제2 전극을 포함하고, 제1 전극과 제2 전극 사이에 인가되는 전압이 소정의 전압 이상인 경우에는 제1 전극이 제2 전극과 전기적으로 연결되는 스위치부를 포함한다. 본 발명에 따른 메모리 장치는 메모리부에 인가되는 간섭전압의 크기를 감소시킴으로써 간섭전압에 노출되는 횟수가 증가되더라도 각 메모리 셀에 저장된 데이터 상태를 유지 시킬 수 있다. | - |
| dc.title | 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치 | - |
| dc.title.alternative | A PASSIVE MATRIX-ADDRESSABLE MEMORY APPARATUS | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이희철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김우영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 황치호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이용수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김상율 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 가두연 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0063307 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0913424-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-07-01 | - |
| dc.date.registration | 2009-08-14 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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