고체 촬상 소자의 픽셀 회로Pixel circuit in the solid state image sensing device

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본 발명은 고체 촬상 소자의 픽셀 회로 및 구동 방법에 관한 것으로, CMOS 이미지 센서의 수광부를 구성하는 단위 픽셀에 관한 것이다. 포토게이트 트랜지스터, 포토다이오드 및 리셋 트랜지스터로 구성되는 기판과, 기판의 상부에 형성되어 포토게이트 트랜지스터 및 포토다이오드에 입사광을 통과시키는 차광부와, 인테그레이션 노드를 통해 포토다이오드에 연결되는 제1 트랜지스터와, 게이트가 스위칭으로 어드레싱하는 신호를 입력받고, 드레인이 제1 트랜지스터의 소스에 연결되며, 소스가 픽셀 출력단(Vout)으로 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하는 주변회로부를 포함하며, 인테그레이션 페이즈 도중 포토게이트 트랜지스터의 게이트전압에 인가되는 하이(high)전압 또는 로우(low)전압에 따라 서로 다른 센서티비티를 가지는 신호가 리드아웃되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 작은 세기의 빛에 대해 높은 민감도를 가짐과 동시에 웰 캐패시티와 동작 범위를 증가시키는 효과가 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2010-06-03
Application Date
2008-05-09
Application Number
10-2008-0043177
Registration Date
2010-06-03
Registration Number
10-0962470-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228877
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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