비스무트 단결정 나노와이어의 제조방법Fabrication Method of Bismuth Single Crystalline Nanowire

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본 발명은 비스무트(Bi) 분말을 이용한 비스무트 단결정 나노와이어의 제조방법을 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 비스무트 분말과 반응로의 후단부에 위치시킨 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 비스무트 단결정 나노와이어를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 제조방법은 주형체를 사용하지 않고 기상이송법을 이용하여 비스무트 나노와이어를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 비스무트 나노와이어가 결함을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고순도/고품질인 장점을 가지며, 기판 상에 응집되어 있지 않은 고형상의 비스무트 나노와이어를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2010-02-17
Application Date
2008-01-24
Application Number
10-2008-0007372
Registration Date
2010-02-17
Registration Number
10-0943977-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228769
Appears in Collection
CH-Patent(특허)
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