2차원 반도체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 소자TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR, PRODUCING METHOD THEREOF, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정현종 | ko |
| dc.contributor.author | 김현철 | ko |
| dc.contributor.author | 이한별 | ko |
| dc.contributor.author | 김학성 | ko |
| dc.contributor.author | 최성율 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T00:43:01Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T00:43:01Z | - |
| dc.date.issued | 2017-10-26 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228747 | - |
| dc.description.abstract | 두께에 따라 에너지 밴드 간격이 달라지는 특성을 갖는 2차원 반도체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 소자가 개시된다. 일 실시예에 따른 2차원 반도체는 제1 두께로 형성된 제1 레이어와, 제2 두께로 형성된 제2 레이어를 포함하고, 상기 제1 두께와 상기 제2 두께는 서로 상이하고, 상기 제1 레이어는 제1 전극과 제1 접합을 형성하고, 상기 제2 레이어는 제2 전극과 제2 접합을 형성한다. | - |
| dc.title | 2차원 반도체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 소자 | - |
| dc.title.alternative | TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR, PRODUCING METHOD THEREOF, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최성율 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정현종 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김현철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이한별 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김학성 | - |
| dc.contributor.assignee | 건국대학교 산학협력단,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0083620 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1792953-0000 | - |
| dc.date.application | 2016-07-01 | - |
| dc.date.registration | 2017-10-26 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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