누설 인덕턴스가 증가된 트랜스포머TRANSFORMER IMPROVED LEAKAGE INDUCTANCE
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 문건우 | ko |
| dc.contributor.author | 허태원 | ko |
| dc.contributor.author | 김정은 | ko |
| dc.contributor.author | 박기범 | ko |
| dc.contributor.author | 김돈식 | ko |
| dc.contributor.author | 김종필 | ko |
| dc.contributor.author | 봉상철 | ko |
| dc.contributor.author | 이동욱 | ko |
| dc.contributor.author | 김동중 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:48:19Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-18T04:48:19Z | - |
| dc.date.issued | 2010-12-22 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228382 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 기생 인덕턴스가 증가된 트랜스포머에 관한 것으로 전자기적으로 결합된 제1, 제2 및 제3 레그(Leg)를 갖는 코어와, 외부로부터의 전력을 전달받는 일단 및 타단을 갖는 하나의 도전체로 형성되어 상기 제1 내지 제3 레그에 분할 권선되는 일차 권선과, 상기 제1 내지 제3 레그 중 적어도 하나의 레그에 권선되어 상기 일차 권선과의 전자기 유도 작용을 통해 전력을 유기받는 이차 권선을 포함한다. 트랜스포머(Transformer), 기생 인덕턴스(Parasitic Inductance), 비대칭 결합(Unbalance Coupling) | - |
| dc.title | 누설 인덕턴스가 증가된 트랜스포머 | - |
| dc.title.alternative | TRANSFORMER IMPROVED LEAKAGE INDUCTANCE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 문건우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 허태원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김정은 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박기범 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김돈식 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김종필 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 봉상철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이동욱 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김동중 | - |
| dc.contributor.assignee | 삼성전기주식회사 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0139338 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1004823-0000 | - |
| dc.date.application | 2007-12-27 | - |
| dc.date.registration | 2010-12-22 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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