메모리 어레이의 구동방법A DRIVING METHOD OF MEMORY ARRAYS
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 윤준보 | ko |
| dc.contributor.author | 양현호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:47:57Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-18T04:47:57Z | - |
| dc.date.issued | 2009-05-04 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228367 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS)을 이용한 메모리 어레이 구동방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 어레이 구동방법은 기판 상에 서로 이격되어 형성된 주전극 및 접점전극, 주전극 과 전기적으로 절연되고, 전하가 기충전된 전하충전부 및 주전극, 전하충전부 및 접점전극 상부에 형성된 유동전극을 포함하는 메모리 셀이 복수 개 배열된 메모리 어레이의 구동방법에 있어서, 주전극에 전하충전부에 충전된 전압과 동일극성의 제1 구동전압을 인가하는 단계 및 유동전극에 제1 구동전압과 반대 극성의 제2 구동전압을 인가하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 메모리 어레이 구동방법은 기충전된 메모리 셀을 이용하여 낮은 구동전압에서 메모리 어레이를 동작시킬 수 있으며, 외부 노이즈에 대한 내구성 및 신뢰성이 향상된 연속동작이 가능하다. 마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS), 구동기(Actuator), 정전 구동, 메모리, 스위치 | - |
| dc.title | 메모리 어레이의 구동방법 | - |
| dc.title.alternative | A DRIVING METHOD OF MEMORY ARRAYS | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 윤준보 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 양현호 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0133155 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0896981-0000 | - |
| dc.date.application | 2007-12-18 | - |
| dc.date.registration | 2009-05-04 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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