메모리 어레이의 구동방법A DRIVING METHOD OF MEMORY ARRAYS

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dc.contributor.author윤준보ko
dc.contributor.author양현호ko
dc.date.accessioned2017-12-18T04:47:57Z-
dc.date.available2017-12-18T04:47:57Z-
dc.date.issued2009-05-04-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/228367-
dc.description.abstract본 발명은 마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS)을 이용한 메모리 어레이 구동방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 어레이 구동방법은 기판 상에 서로 이격되어 형성된 주전극 및 접점전극, 주전극 과 전기적으로 절연되고, 전하가 기충전된 전하충전부 및 주전극, 전하충전부 및 접점전극 상부에 형성된 유동전극을 포함하는 메모리 셀이 복수 개 배열된 메모리 어레이의 구동방법에 있어서, 주전극에 전하충전부에 충전된 전압과 동일극성의 제1 구동전압을 인가하는 단계 및 유동전극에 제1 구동전압과 반대 극성의 제2 구동전압을 인가하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 메모리 어레이 구동방법은 기충전된 메모리 셀을 이용하여 낮은 구동전압에서 메모리 어레이를 동작시킬 수 있으며, 외부 노이즈에 대한 내구성 및 신뢰성이 향상된 연속동작이 가능하다. 마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS), 구동기(Actuator), 정전 구동, 메모리, 스위치-
dc.title메모리 어레이의 구동방법-
dc.title.alternativeA DRIVING METHOD OF MEMORY ARRAYS-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor윤준보-
dc.contributor.nonIdAuthor양현호-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2007-0133155-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0896981-0000-
dc.date.application2007-12-18-
dc.date.registration2009-05-04-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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