근단 혼선을 이용한 반도체 장치, 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치의 구동 방법 및 통신 시스템SEMICONDUCTOR DEVICE USING NEAR-END CROSSTALK, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONTUCTOR DEVICE, METHOD OF OPERATING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND COMMUNICATION SYSTEM
반도체 장치는 기판, 반도체 칩, 제 1 전송선 및 제 2 전송선을 포함한다. 반도체 칩은 제 1 신호 및 제 1 신호와 위상, 진행 속도 및 파장이 동일한 제 2 신호를 생성한다. 제 1 전송선은 반도체 칩으로부터 제 1 신호를 제공받는다. 제 2 전송선은 기판 상에 제 1 전송선과 평행하고 종단이 개방(open)되며 파장의 절반에 상응하는 길이를 가지도록 형성된다. 제 2 전송선에 의하여 근단 혼선(near-end crosstalk)이 제 1 전송선에 발생함으로써 고주파 감쇄를 효율적으로 보상할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2010-02-01
- Application Date
- 2007-12-11
- Application Number
- 10-2007-0128182
- Registration Date
- 2010-02-01
- Registration Number
- 10-0941088-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.