고유전율 금속산화막, 그의 제조방법 및 이를 포함하는소자High-k metal oxide thin films, method for forming thereof and devices comprising the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 강상원 | ko |
| dc.contributor.author | 박판귀 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:42:47Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-18T04:42:47Z | - |
| dc.date.issued | 2008-10-27 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228165 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 결정상 및 결정학적 방향성에 따라 유전율이 변하는 고유전율 금속산화막과 고유전율을 갖는 결정상 및 우선 배향성을 안정화시키기 위하여 주기적으로 소량 반복 첨가되는 금속산화막을 포함하는 고유전율 금속산화막 및 그의 제조방법 및 이를 포함하는 반도체 소자 또는 전지전자 시스템 소자에 관한 것으로, 본 발명에 의한 금속산화막은 낮은 등가 산화막 두께와 낮은 누설전류와 같은 우수한 전기적 특성을 지니고 있어 반도체 소자 또는 전기전자 시스템 소자로 유용하게 사용될 수 있다. | - |
| dc.title | 고유전율 금속산화막, 그의 제조방법 및 이를 포함하는소자 | - |
| dc.title.alternative | High-k metal oxide thin films, method for forming thereof and devices comprising the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 강상원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박판귀 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0035734 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0866305-0000 | - |
| dc.date.application | 2007-04-11 | - |
| dc.date.registration | 2008-10-27 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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