ＩＴＯ 기판을 이용한 산화아연 나노선의 수직성장 방법Method for Vertical Growth of ZnO Nanowires on ITO Substrate
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김봉수 | ko |
| dc.contributor.author | 윤하나 | ko |
| dc.contributor.author | 서관용 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:42:39Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-18T04:42:39Z | - |
| dc.date.issued | 2008-06-03 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228160 | - |
| dc.description.abstract | 화학 기상 증착법(chemical vapor transport)을 이용하여 ITO (Indium tin oxide) 기판 위에 수직 성장된 단결정 산화아연 나노선 배열 (array)을 제조하는 방법과 그 활용을 제안한다.본 발명은 촉매를 사용하지 않는 화학 기상 증착법을 이용하여 ITO 기판상에 산화아연 나노선을 제조하는 특징을 가지며, 상세하게는 면적이 1 ㎟ 내지 40 ㎟인 매크로 홀이 형성된 금속 박으로 ITO 기판을 물리적으로 감싸고, ZnO와 Zn 분말을 혼합하여, 상기 금속 박에 싸인 ITO 기판과 상기 ZnO/Zn 혼합 분말이 담긴 도가니를 불활성 기체 및 산소 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 산화아연 나노선을 제조하는 특징을 갖는다.본 발명에서 제안된 제조방법에 의해 제조된 산화아연 나노선은 턴온(turn-on) 전계가 3.3 V/㎛에서 전류 밀도가 3.8 ㎂/cm2로 측정되었고, 5.1 V/㎛에서의 최대 전류 밀도는 90 ㎂/cm2로 측정되었다. 이러한 전계 방출 특성 수치는 제조된 산화아연 나노선을 전계방출디스플레이(Field emission display)의 에미터(emitter)로 적용하기에 충분한 가능성을 보여주고 있다. | - |
| dc.title | ＩＴＯ 기판을 이용한 산화아연 나노선의 수직성장 방법 | - |
| dc.title.alternative | Method for Vertical Growth of ZnO Nanowires on ITO Substrate | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김봉수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 윤하나 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 서관용 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0033611 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0836890-0000 | - |
| dc.date.application | 2007-04-05 | - |
| dc.date.registration | 2008-06-03 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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