ITO 기판을 이용한 산화아연 나노선의 수직성장 방법Method for Vertical Growth of ZnO Nanowires on ITO Substrate

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dc.contributor.author김봉수ko
dc.contributor.author윤하나ko
dc.contributor.author서관용ko
dc.date.accessioned2017-12-18T04:42:39Z-
dc.date.available2017-12-18T04:42:39Z-
dc.date.issued2008-06-03-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/228160-
dc.description.abstract화학 기상 증착법(chemical vapor transport)을 이용하여 ITO (Indium tin oxide) 기판 위에 수직 성장된 단결정 산화아연 나노선 배열 (array)을 제조하는 방법과 그 활용을 제안한다.본 발명은 촉매를 사용하지 않는 화학 기상 증착법을 이용하여 ITO 기판상에 산화아연 나노선을 제조하는 특징을 가지며, 상세하게는 면적이 1 ㎟ 내지 40 ㎟인 매크로 홀이 형성된 금속 박으로 ITO 기판을 물리적으로 감싸고, ZnO와 Zn 분말을 혼합하여, 상기 금속 박에 싸인 ITO 기판과 상기 ZnO/Zn 혼합 분말이 담긴 도가니를 불활성 기체 및 산소 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 산화아연 나노선을 제조하는 특징을 갖는다.본 발명에서 제안된 제조방법에 의해 제조된 산화아연 나노선은 턴온(turn-on) 전계가 3.3 V/㎛에서 전류 밀도가 3.8 ㎂/cm2로 측정되었고, 5.1 V/㎛에서의 최대 전류 밀도는 90 ㎂/cm2로 측정되었다. 이러한 전계 방출 특성 수치는 제조된 산화아연 나노선을 전계방출디스플레이(Field emission display)의 에미터(emitter)로 적용하기에 충분한 가능성을 보여주고 있다.-
dc.titleITO 기판을 이용한 산화아연 나노선의 수직성장 방법-
dc.title.alternativeMethod for Vertical Growth of ZnO Nanowires on ITO Substrate-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor김봉수-
dc.contributor.nonIdAuthor윤하나-
dc.contributor.nonIdAuthor서관용-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2007-0033611-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0836890-0000-
dc.date.application2007-04-05-
dc.date.registration2008-06-03-
dc.publisher.countryKO-
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