본 발명은 규화금속 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화금속 나노선에 관한 것으로 보다 구체적으로는 촉매를 사용하지 않는 기상이송법(vapor-phase transport process)을 사용하는 것으로 금속 선구물질을 기화하고 이를 비활성기체를 사용하여 실리콘 기판이 위치한 고온 영역으로 이동시키면 금속 선구물질이 분해되어 실리콘 기판 상에 규화금속 나노선이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 강자성 규화코발트(CoSi) 나노선, 규화철(Fe5Si3) 나노선 및 규화크롬(CrSi2) 나노선에 관한 것으로 상기 강자성 규화코발트 나노선은 초격자구조를 가지며, 음(negative)의 자기저항(magnetoresistance)값을 나타내는 특징이 있으며, 상기 규화철(Fe5Si3) 나노선은 상온에서 안정한 특징이 있고, 상기 규화크롬(CrSi2) 나노선은 반도체 특성을 나타낸다.